10.3969/j.issn.1001-2028.2001.03.004
抗干扰用MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器的tgd
以X2类MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器为例分析了影响该类电容器tgd 的主要因素。指出薄膜的方阻大小、芯子的错边、喷金粒子的大小、喷金前芯子端面上的灰尘是导致电容器芯子在经过赋能、成品耐电压试验、脉冲电压试验后tgd 变大的主要原因。在这类电容器制造过程中应严格控制这些因素。
抗干扰、金属化聚丙烯薄膜电容器、损耗角正切
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TM533+.3 (电器)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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