10.3969/j.issn.1001-2028.2000.04.011
金属诱导非晶硅薄膜低温晶化
介绍了一种非晶硅(a-Si)薄膜低温晶化的新工艺:金属诱导非晶硅薄膜低温晶化.研究了各种a-Si/金属双层膜退火后的晶化情况.利用X射线衍射分析了结晶硅膜的结构,通过光学显微镜观察了Al诱导a-Si薄膜晶化后的表面形貌,并初步探讨了金属诱导非晶硅薄膜低温晶化的机理.
金属诱导、非晶硅薄膜、低温晶化
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O484.1;TN304.055(固体物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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