Si3N4在BaTiO3基低阻高性能PTCR陶瓷材料中的作用

摘要：

要同时保证PTCR材料和元件具有低室温电阻率和较高的PTC特性,有较大难度.研究了添加Si3N4作为烧结助剂,对PTCR材料的显微结构和电学性能的影响.同添加SiO2作为烧结助剂相比,添加1.0%的Si3N4的PTCR材料更易同时满足低阻高性能要求.

关键词：电阻率、正电阻温度系数、烧结助剂、氮化硅

所属期刊栏目：19

分类号：TN373(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：15-17