10.3969/j.issn.1001-2028.2000.04.007
Si3N4在BaTiO3基低阻高性能PTCR陶瓷材料中的作用
要同时保证PTCR材料和元件具有低室温电阻率和较高的PTC特性,有较大难度.研究了添加Si3N4作为烧结助剂,对PTCR材料的显微结构和电学性能的影响.同添加SiO2作为烧结助剂相比,添加1.0%的Si3N4的PTCR材料更易同时满足低阻高性能要求.
电阻率、正电阻温度系数、烧结助剂、氮化硅
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TN373(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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