10.3969/j.issn.1001-2028.1999.06.014
半导体陶瓷电容器
论述半导体陶瓷电容器的一般工艺、瓷体结构、介电特性及其与一般BaTiO3型陶瓷电容器之差异.着重叙述其与低压直流老化相关的各种敏感问题、其产生原因及其与工艺因素的相互关系.
半导体陶瓷电容器、制造工艺、瓷体结构、介电特性
18
TM534+.1(电器)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
31-33
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10.3969/j.issn.1001-2028.1999.06.014
半导体陶瓷电容器、制造工艺、瓷体结构、介电特性
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TM534+.1(电器)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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