10.3969/j.issn.1001-2028.1999.05.013
氮化铝陶瓷直接覆铜技术
研制出一种直接覆铜AlN基板.先将AlN 陶瓷基板作表面氧化处理,然后在1 063~1 070℃下,氮气氛中煅烧,使铜箔直接焊敷在AlN基板上.铜箔的剥离强度可达到853.2 Pa,厚度为0.1~0.5 mm,最大基板面积可达50 mm×50 mm.
氮化铝陶瓷、覆铜基板、过渡层、表面处理
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TN45(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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