10.3969/j.issn.1001-2028.1999.05.009
AlN基片的薄膜金属化
讨论了AlN基片的薄膜金属化.通过试验,确定了有效的清洗方法及优化溅射参数.实验证明,TiW-Au是AlN的优良金属化体系.AlN材料经激光划片后出现导电物质,经稀盐酸处理可去掉导电物质.
AlN基片、薄膜、金属化
18
TN451(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
22-23
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10.3969/j.issn.1001-2028.1999.05.009
AlN基片、薄膜、金属化
18
TN451(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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