10.3969/j.issn.1001-2028.1999.05.006
PLZT陶瓷的晶界现象
利用显微技术,研究了PLZT陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为.制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片,利用十字形电极,观察在电场作用下,电畴运动的动态过程.讨论所观察到的一些晶界有关现象,如:晶界平滑区,晶界区的电光性,"壳-芯"结构,析出物在晶界区的沉积,电畴在该区的成核和生长,空间电荷在该区的积累等等.认为存在高应变能的晶界区,对上述现象起重要作用.
功能陶瓷、晶界、电畴、PLZT
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TM28;TM22(电工材料)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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