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10.3969/j.issn.1001-2028.1999.05.005

通讯设备保护用低阻PTC元件的研制

引用
介绍了通讯设备过流保护用低阻PTC元件的研究过程,发现TiO2粒度、工艺参数、金属电极以及封装形式对低阻PTC元件的电性能有较大影响.通过对以上因素进行综合优化调整,妥善解决了低阻系列PTC产品的细晶化与低阻值之间的矛盾,制得了满足厂家要求的PTC产品.

低阻PTC元件、过电流保护、细晶结构、耐电压特性

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TN373(半导体技术)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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电子元件与材料

1001-2028

51-1241/TN

18

1999,18(5)

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