10.3969/j.issn.1001-2028.1999.05.004
共沉淀法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3陶瓷的研究
对用化学共沉淀法制备Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)陶瓷及其烧结特性进行了研究.结果表明其烧结温度比用传统方法降低了180~250℃.在1 400℃时获得了致密的陶瓷,其体积密度达理论密度的96%,晶粒排列紧密,介电特性:Q×f=65 000 GHz,εr=23~25,在f=10 GHz,t=-20~+60℃时τf=(0~3)×10-6℃-1.
共沉淀法、烧结特性、钽镁酸钡陶瓷
18
TM281+.2(电工材料)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
9-10