PECVD法制备纳米硅薄膜材料

摘要：

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)法制备了纳米硅薄膜材料,研究了工艺参数,如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响.采用椭圆偏振光谱和有效介质近似法分析了薄膜结构.

关键词：纳米硅薄膜材料、等离子化学汽相淀积、衬底直流偏压、气体流量

所属期刊栏目：18

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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