10.3969/j.issn.1001-2028.1999.03.007
LTCC 基板抗折强度的研究
抗折强度是反映低烧基板性能的一个非常重要的技术指标.通过试验找出了粉料粒度及配方、热压工艺条件、烧成曲线等与抗折强度的关系,并分析了其机理.试验得到的最佳工艺参数为:粉料粒度d=1.0~1.5μm;SiO2/玻璃=45/55;热压条件:P=20 MPa,θ=110℃,t=40 min;烧成条件:θp=850~900℃,升温速度=2.5℃/min,tk=30 min.采用该工艺可将抗折强度提高到153 N/mm2.
抗折强度、低温共烧多层陶瓷基板、热压工艺、烧成曲线
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TN45(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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