亚单层铋在Cu(111)上的生长

摘要：

半金属铋(Bi)在贵金属表面有多种多样的生长结构,本文利用扫描隧道显微术系统地研究了温度和覆盖度对Bi在Cu(111)表面生长结构的影响.通过对高Bi原子覆盖度(1.5 monolayer,ML)的样品逐步提高退火温度减少其覆盖度,在Bi?Cu界面依次获得了非公度的p×3和公度的[2012]吸附重构与3×3 R30°表面合金结构.进一步,在低覆盖度(1/3或1/4 ML)时,通过对比室温和200 K低温下Bi在Cu(111)表面的生长模式,分别形成3×3 R30°表面合金结构与准一维[2012]吸附重构条带,揭示了Bi原子取代Cu原子形成合金的能垒<38.81 meV.此外,对3×3 R30°表面合金结构的电子态研究观察到了0.25 eV能量位置的Rashba能态峰,并揭示了边界、畴界和点缺陷对Rashba能态空间分布的抑制行为.

关键词：半金属Bi、Cu(111)、Rashba效应、扫描隧道显微镜

所属期刊栏目：41

分类号：O484;O485;O469(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;中国科学院项目（非规范项目）

在线出版日期：2022-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：452-458