基于扫描电子显微镜的半导体掺杂剂含量剖面分析研究进展

摘要：

掺杂剂浓度剖面分析是半导体器件研发、诊断和电学性能提升的关键.扫描电子显微镜因具有埃级空间分辨率、成像速度快、荷电效应弱和辐照损伤小等优点,在表征掺杂半导体方面独具优势.本文简要介绍了扫描电子显微镜在掺杂半导体表征方面的研究进展及挑战,包括SEM图像中掺杂衬度的产生机理、成像参数以及SE的能量和出射角度对掺杂衬度的影响、不同掺杂类型半导体的成像研究进展等.

关键词：扫描电子显微镜、半导体、掺杂衬度、掺杂剖析

所属期刊栏目：41

分类号：TN16;TN303;TN307;TN407;TN606(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金;河北省教育厅基金资助项目

在线出版日期：2022-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共14页

页码：205-218