赝弹性银硫系化合物阻变行为的透射电镜研究

摘要：

银硫系化合物由于尺寸可缩减性好、擦写速度快、具有多值存储能力等优点,在阻变存储器介质材料研究中受到广泛关注.但随着介质材料尺寸的不断缩小,材料表/界面结构对器件的性能产生的影响尚不明确.因此从微观尺度上揭示阻变介质材料表/界面对性能影响的相关机理至关重要.本文利用脉冲激光沉积制备了Ag10 Ge15 Te75薄膜,并在透射电子显微镜中构建了以其为介质的阻变存储器,研究了其阻变过程中微观形貌与物相的演化.实验发现,尺寸在20 nm以下的Ag10 Ge15 Te75薄膜在被电压脉冲熔断后,能够用"冷焊"的方式重新连接并仍保持阻变特性.当给其施加正向电压时,薄膜中生成Ag2 Te多晶颗粒.当挤压拉伸薄膜时,Ag2 Te多晶颗粒不会消失.当施加反向电压时,Ag2Te多晶颗粒消失.分析认为,Ag10Ge15Te75薄膜的形变属于Coble赝弹性,Ag2Te多晶的生成与电场诱导沉积有关.实验的结果对于构建新型柔性阻变存储器结构具有一定的指导意义.

关键词：Ag10Ge15Te75;透射电子显微镜;阻变存储器;赝弹性行为

所属期刊栏目：40

分类号：TB303;TN303;TN304;TN604;TG115.21+5.3(工程材料学)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：635-642