单晶锗同晶面不同取向对脆塑转变影响的实验研究

摘要：

单晶锗为各向异性材料,为考察同一晶面不同取向对单晶锗材料脆塑转变的影响,本文以(110)晶面单晶锗片为实验样品,进行了微纳米力学仪器化压入和划入的测量实验及分析,并利用超高分辨热场发射扫描电子显微镜,对实验后的样品表面微观形貌进行了观察.结果 表明,单晶锗材料的同一晶面上的不同取向产生裂纹及裂纹的扩展能力不同.在同一晶面上的不同取向进行刻划后的表面质量及脆塑转变效果也不同.以单晶锗片倒角边缘<111>晶向向右为0°正方向,实验涉及165°、45°以及-75°三个取向,在165°方向上最容易产生裂纹且最容易扩展,沿该方向刻划过程脆塑转变临界栽荷和临界深度最大;在-75°方向上最不易产生裂纹及扩展,沿该方向刻划过程脆塑转变临界载荷和临界深度也最小.

关键词：单晶锗、压痕实验、划痕实验、脆塑转变

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.1;TG115.21+5.3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目;昆明理工大学分析测试基金资助项目

在线出版日期：2020-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：364-369