10.3969/j.issn.1000-6281.2020.01.006
山·水·楼
由于金刚石具有宽频带隙能、高击穿率等优点,且适用于高温/高氧化、高辐射等环境,具有替代压力传感器中硅基材料的潜力.然而,传统的多晶或纳米晶金刚石的晶间存在一定的杂质和应力,电导率很低.因此,本课题提出以离子注入结合化学气相沉积的方式,制备单晶金刚石,并采用ICP 刻蚀与电化学刻蚀对单晶金刚石进行加工.拍摄环境为常温/高真空,借助扫描电子显微镜对制备的单晶金刚石形貌进行拍摄.图中薄膜状的条带为制备的单晶金刚石,其上的亮色条纹是沉积的金属钨.其余部分为金刚石基板腐蚀后的形貌.
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2020-03-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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