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10.3969/j.issn.1000?6281.2018.03.009

探究消除离子抛光截面样品上波纹现象的方法

引用
目前,氩离子束抛光制备截面样品凭借其易于获得大面积平整表面以及适用范围广等优势被人们广泛采用.本文以单晶硅片为典型样品,通过氩离子抛光制备硅片的截面样品探究了消除截面样品上波纹现象的方法.实验表明通过调整样品在挡板上粘接的凸出量并控制氩离子束流中中性快粒子的成分,可以有效增加在相同时间内离子束抛光的深度,消除截面区域的波纹,从而提高离子抛光制备截面样品的成功率.将上述离子抛光的规律推广应用到制备满足开尔文探针力显微镜测试要求的介孔钙钛矿太阳电池截面样品上,大大提高了制备介孔钙钛矿太阳电池截面样品的成功率.

离子抛光、截面样品、介孔钙钛矿太阳电池

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O766+.1;TG115.21+5.3(晶体结构)

国家高技术研究发展计划"863"计划2015AA034601;国家自然科学基金资助项目. 61674164, 61475184;中国科学院科研装备仪器研制项目YZ201341

2018-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

257-263

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1000-6281

11-2295/TN

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2018,37(3)

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