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10.3969/j.issn.1000?6281.2018.03.007

低能聚焦电子束诱导的金属表面局域荷电效应

引用
鉴于低能电子束微纳成像与分析的重要应用,本文着重研究低能电子束同金属样品的相互作用.低能电子束入射至金属表面,当总散射电子产率>1且入射束流密度较高时,发现测得透射束流会随时间而发生不同程度的衰减失稳现象.建立微观空穴态复合模型讨论分析了透射束流衰减现象的物理机制,并推测透射束流衰减的原因.由于金属表面缺陷和吸附等将使得样品中所激发的空穴态寿命增加,降低了同自由电子复合几率,导致表面局域电荷积累,从而在宏观统计上导致电子发射效率的降低以及透射束流的衰减.

低能电子束、金属表面、局域荷电、电子产率、束流衰减

37

TN16;TG115.21+5.3(真空电子技术)

国家自然科学基金资助项目. 11327902,11605001;科技部国家重大科学仪器设备开发专项项目2013YQ120353

2018-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

244-250

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1000-6281

11-2295/TN

37

2018,37(3)

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