超薄纳米晶铜薄膜接触变形机制TEM研究

摘要：

本文利用磁控溅射和光刻技术，制备纳米晶Cu薄膜／光刻胶／SiO2／Si复合材料；使用纳米压痕仪对纳米晶Cu薄膜（厚度约50 nm）进行压痕接触变形，结合发展的薄膜转移技术，将纳米晶Cu薄膜压痕区域直接转移到透射电镜（ transmission electron microscope，TEM）铜网上对纳米晶Cu薄膜压痕区域进行变形机制研究。结果表明：在＜40nm的晶粒内，形变孪晶是薄膜与压头接触变形的主要途径，通过TEM观察发现形变孪晶是通过晶界发出的不全位错而形成，同时晶粒形状发生变化；发现晶粒内部出现由三个不全位错形成的非共格孪晶现象，共格孪晶部分出现‘台阶’，位错与孪晶发生交互作用。

关键词：形变孪晶、纳米压痕、铜薄膜、不全位错

分类号：TB383;O762;TG115.21+5.3(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目No．1374027，No．51474154．

在线出版日期：2015-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：388-394