10.3969/j.issn.1000-6281.2015.05.006
超薄纳米晶铜薄膜接触变形机制TEM研究
本文利用磁控溅射和光刻技术,制备纳米晶Cu薄膜/光刻胶/SiO2/Si复合材料;使用纳米压痕仪对纳米晶Cu薄膜(厚度约50 nm)进行压痕接触变形,结合发展的薄膜转移技术,将纳米晶Cu薄膜压痕区域直接转移到透射电镜( transmission electron microscope,TEM)铜网上对纳米晶Cu薄膜压痕区域进行变形机制研究。结果表明:在<40nm的晶粒内,形变孪晶是薄膜与压头接触变形的主要途径,通过TEM观察发现形变孪晶是通过晶界发出的不全位错而形成,同时晶粒形状发生变化;发现晶粒内部出现由三个不全位错形成的非共格孪晶现象,共格孪晶部分出现‘台阶’,位错与孪晶发生交互作用。
形变孪晶、纳米压痕、铜薄膜、不全位错
TB383;O762;TG115.21+5.3(工程材料学)
国家自然科学基金资助项目No.1374027,No.51474154.
2015-11-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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