弯曲应变下单根GaAs纳米线的电学性能的原位透射电子显微镜研究

摘要：

在透射电子显微镜下，对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中，利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术，选取了单根GaAs纳米线并将纳米线两端与两根钨针尖连接固定。控制可移动的钨针尖，使GaAs纳米线发生弯曲变形同时获得相应的电流－电压曲线。有限元分析表明当纳米线的两端都固定时，纳米线同时承受了压缩应变和拉伸应变，其中压缩应变分布更为广泛。随着变形增加，GaAs纳米线的电导率增加了55％，这可能归因于弯曲变形下压缩与拉伸应变对GaAs纳米线能带结构的共同作用。

关键词：砷化镓纳米线、压阻效应、应变、电导率

分类号：O472+.4;TB383;TG115.21+5.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目No．11374029；全国优秀博士学位论文作者专项资金资助项目No．201214；北京市科技新星项目No． Z121103002512017；国家自然科学基金重点项目No．11234011；北京市教委项目No． KM201310005009．

在线出版日期：2015-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：89-93