InAs/GaSbⅡ型超晶格的锯齿形解理

摘要：

本文利用高分辨透射电子显微技术及高分辨像几何相位分析技术,对分子束外延方法生长在GaSb(001)面上的InAs/GaSbⅡ型超晶格材料进行了界面显微结构和解理特征的研究.众所周知,InAs和GaSb都是立方硫化锌结构,具有平行于{110}面的六组完全解理面,然而,本工作中发现InAs/GaSb超晶格的解理面发生改变,平行于{111}面解理,并在InAs/GaSb界面处发生扭折,呈现锯齿状解理边缘.而在InAs盖帽层即非超晶格区域内,解理面依然平行于{110}面.通过建立超晶胞模型与计算分析表明,在超晶胞中由于共格应力的对称性降低,(110)面的电中性发生改变,导致解理面从电中性的{110}面转变为面网密度最大的{111}面.界面两侧应力分布分析结果表明,锯齿状{111}解理边缘是Ga-As型界面与In-Sb型界面所受应力作用不同的结果.

关键词：InAs/GaSb超晶格、解理、HRTEM、几何相位分析

所属期刊栏目：32

分类号：TN304;O7;TG115.21+5.3(半导体技术)

资助基金：教育部长江学者奖励计划和国家自然科学基金重点基金U1037602

在线出版日期：2013-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：198-205