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10.3969/j.1000-6281.2013.03.002

Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响

引用
通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe-Sb薄膜,利用电阻-温度(R-T)测试、X射线衍射(XRD)和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征.发现薄膜的晶化温度随着Sb含量的增加先升高后降低;XRD分析表明Sb含量的不同导致薄膜晶体结构的不同,GeTe-9.9%Sb和GeTe-21%Sb为GeTe型立方结构,GeTe-58% Sb,GeTe-72%Sb和GeTe-81.5% Sb呈Sb型菱方结构.在GeTe型和Sb型结构中,薄膜的晶粒尺寸都与晶化温度变化趋势相反.原位加热实验证实了Sb的加入对薄膜结晶机制产生了很大影响,GeTe-9.9% Sb是典型的形核主导,而GeTe-72%Sb则更趋向于生长为主导的结晶机制.

GeSbTe、相变材料、晶化温度、透射电镜

32

TN304;TG115.21+5.3(半导体技术)

国家自然科学基金资助项目11204008;北京市教育委员会重点项目计划JB102001200801;教育部新世纪优秀人才支持计划05009015200701;北京市自然科学基金资助项目1122003

2013-10-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

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电子显微学报

1000-6281

11-2295/TN

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2013,32(3)

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