暗场电子全息技术及其在应变分析中的应用
暗场电子全息是近年来出现的实验技术,是测量半导体器件中应变分布的有力手段.它将莫尔技术与离轴电子全息结合起来,具有空间分辨率高、视场范围大、精确度高、结果直观等优点.本文简要介绍了该技术的原理、实验方法和应用.
透射电子显微镜、暗场电子全息、应变
31
O765;O766+.1(晶体结构)
973国家重点基础研究发展计划.2007CB936301,2010CB934202
2013-02-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共14页
503-516