EBSD技术在ECAP法细化纯Cu晶粒研究中的应用
本文利用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了等径弯曲通道挤压(ECAP)不同道次下纯Cu样品取向差分布、晶粒尺寸和织构的演变规律.分析可知:随着ECAP挤压道次的增加,纯Cu样品晶粒由原始的等轴晶转变为挤压后的长轴晶,晶内出现大量位错进而发展为亚晶,最终演变为均匀细化的等轴晶,从而达到细化晶粒的效果;经ECAP挤压后,纯Cu样品晶粒尺寸由原始的约34μm变为挤压6道次后的约6μm,晶粒发生取向择优,产生〈110〉纤维织构.
EBSD、ECAP、纯Cu、织构
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TG376.8;TB31;TG115.21+5.3(金属压力加工)
实验室技术研究项目01-27-505805
2013-01-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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