缺陷对坡莫合金薄膜磁畴翻转钉扎影响的洛伦兹透射电镜显微研究
利用磁控溅射法,在具有孔洞缺陷的铜网碳膜上成功地溅射了一层厚度100nm,具有圆形缺陷的坡莫合金薄膜.结合常规透射电镜分析测试,研究了此类缺陷的形成机理及结构性质.利用洛伦兹透射电镜观察缺陷对周围磁矩的影响,以及在磁化反转过程中,缺陷对畴壁运动的影响.结果表明,此类缺陷是不同于膜本身的第二相弱磁性材料,它对畴壁的运动有着先排斥后吸引的钉扎作用.
洛伦兹透射电子显微镜、坡莫合金、缺陷、磁矩翻转、钉扎、畴壁运动
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O483;O484.4+3;TM276;TG115.21+5.3(固体物理学)
国家重大科学研究计划资助2012CB93310X;甘肃省自然科学基金资助项目1107RJZA221;中央高校基本科研业务费860521;国家自然科学基金资助项目11034004
2013-01-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
294-300