原子探针层析方法研究690合金晶界偏聚的初步结果

摘要：

利用脉冲电解抛光的方法制备了含有晶界的三维原子探针(3DAP)针尖样品,用原子探针层析方法(APT)研究了杂质原子在690合金晶界附近的偏聚情况.结果表明:样品经过固溶处理并在500℃ ～0.5 h时效后,碳化物仅在部分有利于形核的晶界位错纠结处析出,大小为5～10 nm.用三维原子探针可观察到晶界处杂质原子的偏聚现象,C主要偏聚在晶界附近1个原子层内,Si和P偏聚在晶界附近约2个原子层的厚度内.根据这些元素的偏聚数据,讨论了它们发生偏聚时的规律.

关键词：原子探针层析技术、晶界、偏聚、690合金

所属期刊栏目：30

分类号：O76;TG146;TG115.21+5.7(晶体结构)

资助基金：国家重点基础研究项目9732006CB605001和2011CB610502;国家自然科学基金资助项目50974148;上海大学创新基金

在线出版日期：2011-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：206-209