氨化Ga2O3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线

摘要：

在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线.运用SEM,TEM,XRD以及Ramah,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质.最后着重探讨了通过改变镓源的构成、氨化温度以及镓源和生长衬底间的距离等生长条件,研究了其对氮化镓形貌的影响,藉以提高在管式炉中生长GaN的可控性及可重复性,为制备大量GaN纳米线提供了依据.

关键词：化学气相沉积法、氮化镓、纳米线、生长条件

所属期刊栏目：30

分类号：TN304;TB383;TG115.21+5.3(半导体技术)

资助基金：国家重大基础研究项目9732009CB623703

在线出版日期：2011-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：91-96