应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究

摘要：

本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布.沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的.有限元计算结果显示,器件的源漏区很低的锗注入剂量在沟道区的顶层造成了很大的压应变,而且在沟道和硅衬底中间形成一个应变过渡层.大角度会聚束电子衍射的动力学模拟结果与有限元计算结果符合很好.

关键词：应变硅、场效应晶体管、有限元方法、大角度会聚束电子衍射

所属期刊栏目：27

分类号：O613.7;TN386.1;TG115.23;TG115.21+5.3(无机化学)

资助基金：国家科技部项目资助2007CB936301,2001CB610502和G2000036504

在线出版日期：2009-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：364-369