10.3969/j.issn.1000-6281.2008.02.004
非晶SiO2纳米线的合成及其显微结构和光学性质的研究
本研究以硅片为衬底,热蒸发一氧化硅粉末在较低温度下合成了大量直径均匀的非晶SiO2纳米线.这些纳米线直径分布在15 nm~40 nm之间,长度几十微米.选区电子衍射(SAED)、能谱(EDS)、电子能量损失谱(EELS)分析结果表明这些纳米线为非晶SiO2纳米线.光致发光(PL)谱测试结果显示纳米线在波长550 nm处存在一个较强的PL峰.本文进一步指出了蒸发源SiO粉末的颗粒度和蒸发温度对纳米线生长有强烈的影响.
SiO2纳米线、热蒸发、光致发光(PL)
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TB383;O734;TG115.21+5.3(工程材料学)
国家自然科学基金50272081;北京市优秀人才培养基金20061D0S01500200
2008-06-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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