10.3969/j.issn.1000-6281.2008.02.002
层状钙钛矿型Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜在LaNiO3/Si上取向生长的TEM研究
用溶胶-凝胶工艺在披覆了LaNiO3底电极的(100)Si衬底上制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜.X射线衍射结果显示,LaNiO3层呈(110)择优取向,BNdT薄膜呈c轴和a/b轴混合择优取向.透射电镜观察表明,LaNiO3电极层和BNdT薄膜厚度分别约为180 nm和320 nm.BNdT薄膜分为上下两层,厚约100 nm的底层以薄片状c轴择优取向晶粒为主,在顶层许多柱状晶粒为a/b轴择优取向.讨论了BNdT薄膜在(110)LaNiO3电极上的择优取向生长机制.
Bi3.15Nd0.85Ti3O12、铁电薄膜、取向生长、透射电镜
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O484.1;TG115.21+5.3(固体物理学)
国家自然科学基金10474019;教育部跨世纪优秀人才培养计划
2008-06-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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