应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究

摘要：

本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征.由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变.利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因.

关键词：应变硅、金属氧化物半导体场效应晶体管、大角度会聚束电子衍射

所属期刊栏目：26

分类号：TB386.1;TG115.23;TG115.21(工程材料学)

资助基金：科技部资助项目2001CB610502;G2000036504

在线出版日期：2008-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：312-321