10.3969/j.issn.1000-6281.2007.02.005
基于Ti掺杂硅量子点的MOSFET结构的电子显微学表征
通过自组装生长并结合两步退火处理,在SiO2表面得到了Ti掺杂的Si纳米晶粒量子点.采用高分辨显微分析方法,X射线能谱线扫描和Z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细研究,得到了量子点内部的成分分布,相关的试验数据吻合一致,验证了Si量子点MOSFET的结构模型.
纳米晶MOSFET内存、扫描透射显微方法、量子点成分分布
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TN386.1;TG115.21+5.3;TN16(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划2002CB613505
2007-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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