用200 kV高分辨电子显微镜辨认3C-SiC中的硅和碳原子

摘要：

用200 kV六硼化镧灯丝的高分辨电子显微镜拍摄了外延生长在硅衬底的3C-SiC薄膜的[110]显微像.经过解卷处理和衍射振幅校正,把实验像转换为直接反映晶体投影结构的结构像,近邻Si、C原子柱显现为黑(灰)的像点对,即所谓的哑铃.测量了结构像中不同厚度区域哑铃的灰度变化,分析了哑铃中二个端点的相对灰度值随厚度的变化关系,结合赝弱相位物体近似像衬理论进行分析,辨认出Si与C原子柱.

关键词：高分辨电子显微像、解卷处理、赝弱相位物体近似像衬理论、3C-SiC薄膜

所属期刊栏目：26

分类号：O766+.1;TB383;TN304;TG115.21+5.3(晶体结构)

资助基金：国家自然科学基金10474122

在线出版日期：2007-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：85-89