高质量氮化镓纳米线的结构表征

摘要：

本文采用CVD法,以甩涂在衬底硅片上的Ga2O3薄膜和NH3作为原料,成功制备出大量GaN纳米线.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、能量色散谱仪(EDS)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品进行了成分和结构分析,并简单讨论了其生长机理.结果表明:产物为平直光滑的GaN纳米线,其直径为30nm～50nm,长度可达几十微米,纳米线为高质量的六方纤锌矿GaN晶体.

关键词：CVD、氮化镓、纳米线

所属期刊栏目：25

分类号：TN304;TG115.21+5.3;TG115.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金20271037;20471041;国家自然科学基金90306014;国家自然科学基金50311140138;山西省留学人员科学项目200523

在线出版日期：2006-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：377-380