(001)Si衬底上La0.9Sr0.1MnO3/SrTiO3外延生长薄膜的界面电子显微学研究

摘要：

本文利用高分辨电子显微术、电子能量损失谱和电子全息技术对Si基体上生长的SrTiO3(STO)和La0.9Sr0.1MnO3(LSMO)薄膜及其STO层和Si基体之间的界面结构进行了深入研究,结果表明在Si和STO层之间由于氧扩散会形成一层过渡的SiOx无序层,且随沉积条件不同界面原子无序层厚度稍有不同;选区电子衍射结果表明薄膜和基体之间的外延生长关系为[001]LSMO//[110]Si,[110]LSMO//[001]Si[001]STO//[001]Si,[010]STO//[110]Si;电子能量损失谱分析表明界面无序层中Si离子的氧化态处于Si2+和Si0之间;电子全息结果清晰地显示了基体与薄膜之间存在明显的相位和势垒变化,负电荷聚集在界面SiOx的无序层中.

关键词：高分辨电子显微学、薄膜、界面、电子能量损失谱、电子全息

所属期刊栏目：25

分类号：O766+.1;O657.62;O484(晶体结构)

资助基金：国家研究发展基金

在线出版日期：2006-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：214-220