晶格畸变分析及其在半导体量子点结构中的应用

摘要：

在适当的成像条件下可以直接从高分辨透射电子像(HRTEM)以接近原子级的分辨率进行晶格畸变分析.本综述介绍晶格畸变分析(LADIA)程序包及其在半导体自组装量子点(QD)系统中的应用.对多层InP小QD系统中畸变分布的分析表明:光致发光(PL)能量峰位的红移和QD中的应变弛豫直接相关.在慢速生长的InAs大QD系统中应变引起的元素互溶是PL峰位蓝移的主要因素.多层系统中QD的垂直叠合可解释为间隔层厚度低于临界值时生长前沿的横向张应变的作用.研究了生长以后不同条件快速退火对QD稳定性的影响,观测到垂直叠合的InP QD中出现各向异性的退火不稳定性.

关键词：高分辨透射电子术(HRTEM)、定量高分辨透射电子术、应变像、半导体量子点、光致发光

所属期刊栏目：25

分类号：O766;O471.4;O766+.1(晶体结构)

在线出版日期：2006-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：190-199