MOCVD生长InGaN合金的表面形貌与光学性质研究

摘要：

基于X射线衍射和原子力显微分析,研究了MOCVD生长的InGaN合金的表面形貌和光致发光光谱.结果发现本实验所用InGaN合金样品表面形貌呈现类花生状微结构团簇,纳米尺度较小的球状富铟InGaN颗粒附着在较大颗粒上;X射线衍射数据计算得微晶粒度折合当量直径约23nm.原子力显微测量得典型的微结构团簇横向宽度约400nm～900nm,表面粗糙度在所选择的6.43μm区域内方均根值为11.52nm,3.58μm区域内方均根值为8.48nm.在室温下用325nm连续激光激发测得样品的表面发光光谱,结果显示光致发光光谱出现多峰结构,其主要发光峰峰值波长分别位于569nm、532nm和497nm.理论计算分析认为发光光谱多峰结构可能是由于InGaN/GaN异质结构形成的F-P垂直腔中多光束干涉调制效应造成的,同时InGaN合金的尺度和组分涨落导致较宽的发光峰.研究结果对设计GaN基半导体光电子器件具有一定的参考价值.

关键词：InGaN/GaN异质结构、表面形貌、光致发光

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分类号：TN304;O472+.3;TG115.21+5.9;TG115.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金10474078

在线出版日期：2006-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：187-189