金属-氧化物-半导体结构电容-电压特性的扫描非线性介电显微镜表征

摘要：

扫描非线性介电显微镜(SNDM)利用非线性介电效应检测电容的变化情况,分辨率达到亚纳米量级,精度达到10-22F,主要应用于材料微区的电性能研究,目前以这项技术进行的研究主要集中在铁电材料和半导体材料方面,相关的报道也较少.本研究用扫描非线性介电显微镜对集成电路中具有n型与p型掺杂的60μm×60 μm区域进行二维表征,得到定点非线性电容与电压的关系曲线,并由积分得到对应的电容电压特性曲线,认为界面陷阱的作用是金属-氧化物-半导体非线性电容-电压特性曲线突变的影响因素.

关键词：MOS、扫描非线性介电显微镜、界面、陷阱

所属期刊栏目：25

分类号：TN16;TG115.21+5.9;O472;TN432(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金51310

在线出版日期：2006-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：131-134