半导体结构中局域弹性应变场的电子背散射衍射分析

摘要：

采用扫描电镜中的电子背散射衍射(Electron Backscattering Diffraction,EBSD)技术,对硼掺杂的可动悬空硅薄膜和用于激光二极管(LED)的蓝宝石衬底上异质外延生长GaN层中的弹性应变区进行了测量.将菊池图的图像质量(IQ)和Hough转变强度,以及小角度晶界错配的统计数据作为应力敏感参数,研究了单晶材料系统中,微米～亚微米尺度的晶格畸变状态及局域弹性应变场.EBSD测试获得了硅薄膜窗口区域及LED的GaN外延层中的弹性应变分布.

关键词：电子背散射衍射(EBSD)、弹性应变分布、硅薄膜、GaN外延层

所属期刊栏目：25

分类号：TG115.23;TB383(金属学与热处理)

资助基金：北京市教委科研项目KM 200310005009

在线出版日期：2006-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：104-107