PVD法在ZnO(001)薄膜上制备ZnO纳米线阵列

摘要：

@@ 本实验采用简单物理气相沉积(PVD)的方法,直接蒸发Zn粉末,在ZnO(001)取向薄膜衬底上制备出整齐排列的ZnO纳米线阵列,与已有的报道不同,该方法不含任何催化剂或者添加剂.实验在水平管式炉中进行,采用Ar气(200sccm)作为保护气,反应温度750℃,反应时间90分钟.

机标关键词：膜上、纳米线阵列、ZnO thin films、物理气相沉积、直接蒸发、实验、方法、反应温度、反应时间、添加剂、管式炉、催化剂、保护气、取向、排列、粉末、衬底、薄膜

所属期刊栏目：24

分类号：TB3(工程材料学)

在线出版日期：2005-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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