电子束致沉积手控生长碳纳米线

摘要：

用电子束致沉积(EBID)来制备各种纳米尺寸的结构在纳米材料的制备和器件构建方面有着良好的应用前景.相对于聚焦离子束(FIB),它具有对样品损伤小和所得结构尺寸更小等优点.此前,电子束致沉积的工作大多数在扫描电镜中完成,而在透射电镜中沉积直到近两年才发展起来.本文尝试在普通热发射透射电镜中,手动控制生长碳纳米线、点等结构.对碳纳米线的生长过程进行了原位观测,并对电子束斑的大小、形状和辐照时间对沉积物形状的影响作了初步的研究.最后对电子束致沉积可控生长无定型碳纳米线可能的应用作了一些探索.

关键词：电子束致沉积、无定型碳纳米线、透射电子显微镜、器件构造

所属期刊栏目：24

分类号：TB383;TG115.21+5.3(工程材料学)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研项目20030001070;教育部科学技术研究项目10401;国家纳米科学中心资助项目

在线出版日期：2005-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：11-16