单晶硅摩擦致相变的SEM研究

摘要：

@@ 自从Jamieson发现单晶硅的高压相变现象以来,有关单晶硅的高压相变的研究逐步开展起来,其最终目的之一就是通过金属延性相的出现来解决单晶硅的加工问题.Pharr、Gogotsi、Zhang liangchi等人利用纳米压入技术系统研究了单晶硅的压力致相变问题.本文旨在研究单晶硅在滑动摩擦过程中的相变问题.

机标关键词：单晶硅、摩擦过程、相变问题、scanning electron microscopy、高压相变、纳米压入技术、相变现象、系统研究、加工问题、延性、压力、金属

所属期刊栏目：23

分类号：TB3;O6(工程材料学)

在线出版日期：2004-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：440-440