钛酸钡陶瓷膜形成过程的AFM研究

摘要：

@@ 高介电薄膜材料由于具有较高的电荷存储能力而作为集成电路上的芯片电容,可减少集成电路上电容所占面积,提高电路集成效率,因而日益受到人们的关注,BaTiO3薄膜即是重要的薄膜材料之一.本文作者采用溶胶-凝胶甩膜法制备钛酸钡系薄膜,并通过原子力显微镜(AFM)考察制备过程中薄膜的微观形态变化及钛酸钡的结晶习性.

机标关键词：钛酸钡系、陶瓷膜、薄膜材料、集成电路、原子力显微镜、电荷存储能力、制备过程、形态变化、膜法制备、结晶习性、电容、高介电、成效率、芯片、溶胶、凝胶、面积、考察

所属期刊栏目：23

分类号：TB3;O6(工程材料学)

在线出版日期：2004-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：429-429