InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响

摘要：

@@ 量子阱或超晶格的应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型[1～3],但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定,因此激发了从实验上予以研究的要求.另外,含N的Ⅲ-V族究竟适用何种模型尚无定论,且对其弛豫行为以及对性能的影响缺乏细致的研究.

机标关键词：量子阱结构、应变弛豫、临界厚度、弛豫行为、物理性能、physical properties、计算模型、器件设计、材料制备、超晶格、实验、理论、定论

所属期刊栏目：23

分类号：TB3;O6(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金50272081;国家重点基础研究发展计划973计划2002CB613500

在线出版日期：2004-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：402-402