ZnO纳米带的电子显微学研究

摘要：

@@ 自从1991年Iijima发现纳米炭管[1]以来,一系列的一维纳米材料(包括纳米线、纳米带、纳米棒等)被相继用不同的方法制备出来.由于它们独特的结构特性和因此而具有的不同于传统二维、三维材料的新颖物理性质,这些一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值,从而受到人们的广泛关注和研究.宽的和直的带隙半导体(如ZnO、SnO2)在气体感光器件、透明导电的薄膜和电极、太阳能电池开发等方面都有较广的应用,引发很多研究小组的兴趣.近几年制备和表征上述半导体一维纳米结构成为一个热点,许多小组陆续制备和研究半导体氧化物纳米带和纳米线[2～5].本文用热蒸发法制备了ZnO纳米带,并对其微观结构进行了电子显微学表征,发现其具有两种不同的择优生长取向.

机标关键词：氧化物纳米带、一维纳米材料、半导体、纳米线、电子显微学、应用价值、小组、物理性质、微观结构、透明导电、生长取向、三维材料、纳米炭管、结构特性、基础研究、感光器件、法制、电池开发、表征、太阳能

所属期刊栏目：23

分类号：TB3;O6(工程材料学)

资助基金：中国科学院"百人计划";国家重点基础研究发展计划973计划2002CB613503

在线出版日期：2004-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：370-370