10.3969/j.issn.1000-6281.2004.04.065
电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟
@@ 电子束光刻不受衍射效应的限制,具有高分辨率和能产生特征尺寸在100nm以下图形的优点.目前,国际上正在将角度限制散射的投影电子束光刻技术作为21世纪100纳米以下器件大规模生产的主流光刻技术进行重点开发[1].
电子束光刻、邻近效应、模拟、光刻技术、衍射效应、特征尺寸、角度限制、规模生产、高分辨率、图形、投影、散射、器件、纳米、开发
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TB3;O6(工程材料学)
国家自然科学基金60306006,10025420,90206009
2004-10-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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