高能电子束纳米曝光系统的研制

摘要：

@@ 微电子产业的飞速发展要求半导体器件的最小特征尺寸越来越小.传统的光学光刻技术由于受到光的衍射等限制,开始面临挑战.电子束曝光技术具有高分辨、长焦深、无需掩模等优点,成为下一代光刻技术中极具发展潜力的一种[1].

机标关键词：高能电子束、纳米曝光系统、下一代光刻技术、光学光刻技术、微电子产业、半导体器件、特征尺寸、曝光技术、光的衍射、高分辨、长焦深、掩模、潜力

所属期刊栏目：22

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：641-642