二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究

摘要：

用超高真空热氧化方法在Si(111)清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜,并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究.结果显示,在超薄范围二氧化硅呈层状生长,不同层的微分电导谱所测禁带宽度差别可以达到约3eV,形貌对二氧化硅带宽的影响小于膜厚的影响.

关键词：二氧化硅超薄膜、超高真空扫描隧道显微镜、扫描隧道谱、禁带宽度

所属期刊栏目：22

分类号：O484;TN16(固体物理学)

资助基金：香港研究项目

在线出版日期：2004-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：237-241