多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟

摘要：

本文采用Monte Carlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响,并与宏观RC电路进行了比较.

关键词：单电子存储器、Monte Carlo模拟

所属期刊栏目：22

分类号：O242.2;TP333(计算数学)

资助基金：高等院校骨干教师基金;湖北省自然科学基金

在线出版日期：2004-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：214-218