轴向应变导致柔性电路的裂化研究

摘要：

本文研究了在柔性塑料衬底上的均匀的无定形Si 和SiNx 薄膜的裂化规律.结果表明,在单轴向拉力应变下,虽然衬底仍保持完整,但是半导体薄膜破裂为直的并行的阵列.当应变大于一个临界值后,裂纹的密度成线性增长.用原子力显微镜对裂纹的宽度和深度进行了表征和分析.

关键词：裂化、柔性电路、应变

所属期刊栏目：22

分类号：O484.2;O484.5;TN16(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60071009,90206028

在线出版日期：2004-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：142-144